Теплотехнические расчеты ограждающих конструкций

Радиатор микросхемы

Расчет максимальной температуры микросхемы, охлаждаемой алюминиевым радиатором.

Тип задачи
3D задача теплопроводности.

Геометрия
Радиатор микросхемы Расчет максимальной температуры микросхемы, охлаждаемой алюминиевым радиатором Гетинакс Радиатор Микросхема 110 мм 8 мм 35 мм 80 мм 2 мм 3 мм 8 8 8 32 мм 30 мм

Дано
Расстояние между ребрами радиатора S = 8 мм.
Температура окружающего воздуха +20°C.
Мощность тепловыделения микросхемы 1 Вт.
Теплопроводности материалов: алюминий 200 Вт/м°C, корпус микросхемы 20 Вт/м°C, гетинакс 0.23 Вт/м°C.

Решение
В ELCUT задается объемная плотность тепловыделения = мощность / объем. Объем микросхемы равен 3*3.2*0.2 = 1.92 см³.
Корректное задание граничных условий требует учета совместного действия конвекции и радиации. Однако граничные условия для 3D моделей, в отличие от 2D, имеют только одно поле для задания коэффициента теплоотдачи. Поэтому необходимо в этом поле задавать суммарный коэффициент теплоотдачи от радиации и конвекции.
Радиатор размещен вертикально и почти все его поверхности будут иметь вертикальную ориентацию. При расстоянии между ребрами 8 мм можно считать конвекцию воздуха вдоль каждой поверхности ребра независимой. В таком случае коэффициент теплоотдачи вычисляется по стандартному критериальному уравнению для вертикальной поверхности:
Nu = 0.68 + \( \frac{0.670{\cdot}Ra^{1/4}}{\left[ 1 + (0.492 {\cdot}Pr)^{9/16} \right]^{4/9}} \), при Ra < 109
Здесь Ra - число Рэлея, Pr - число Прандтля.

Приведенная формула используется в онлайн калькуляторе величин коэффициентов естественной конвекции. В расчетах предполагалось, что температура микросхемы будет +40°С, а средняя температура нагретой области платы +30°C. При значительном уменьшении расстояния между ребрами S вышеприведенное критериальное уравнение будет давать неточные результаты и потребуется переход к модифицированному критерию Ra'.

В виде упрощения примем, что для верхней горизонтальной поверхности коэффициент теплоотдачи больше коэффициента теплоотдачи для вертикальной поверхности на 30%, а для нижней горизонтальной поверхности - на 30% меньше. Расчетные значения представлены в таблице.

Коэффициенты конвективной теплоотдачи α
Элемент модели Ориентация поверхности Коэффициент теплоотдачи, Вт/м²
Радиатор и корпус микросхемы Вертикальные 7.09
Горизонтальные (верх) 9.2
Горизонтальные (низ) 5.0
Плата Вертикальные 5.3

При расчете теплопередачи радиацией необходимо учитывать коэффициенты излучения поверхностей ε, температуры и взаимное расположение поверхностей.
Так радиационный теплообмен между внутренними вертикальными поверхностями радиатора равен нулю, поскольку поверхности расположены напротив друг друга и имеют одинаковую температуру.
Во всех остальных случаях используем формулу:
\[ \alpha_{pадиац.} = \frac{1}{\frac{1}{C_1} + \frac{1}{C_2} - \frac{1}{C_0}} {\cdot} \frac{\left(\frac{t_1+273}{100}\right)^4 - \left(\frac{t_2+273}{100}\right)^4}{t_1 - t_2} \]
t1 и t2 - температуры поверхностей;
C1 и C2 - коэффициенты излучения поверхностей: C1 = C0 * ε1, C2 = C0 * ε2;
С0 - коэффициент излучения абсолютно черного тела, 5.67 Вт/(м²·К⁴)

Вторая дробь в формуле называется температурным коэффициентом, который несильно отличается от 1.

Ниже в таблице указаны рассчитанные коэффициенты радиационной теплоотдачи.

Коэффициенты радиационной теплоотдачи αрадиац.
Элемент модели Коэффициент излучения ε Ориентация поверхности Коэффициент теплоотдачи, Вт/м²
Радиатор микросхемы (алюминий) 0.8 Вертикальные внутренние 0
Остальные поверхности 4.6
Корпус микросхемы 0.8 Все поверхности 4.6
Плата 0.9 Все поверхности 4.9

В ELCUT в свойствах метки задавалась сумма (α + αрадиац.).

Результат
Максимальная температура корпуса микросхемы равна 38.9°градусов.
Радиатор микросхемы. Поле температур